具有在片稳定网络的GaAs HBT微波功率管

• 作者: 刘新宇 吴德馨 李滨 王显泰 申华军 葛霁 陈延湖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: HBT 微波功率管 稳定性
• 年，卷（期）: 2006,（12）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 2075-2079
• 页数: 5页
• 分类号: TN431
• 字数: 1543字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.12.002

摘要

采用GaAs标准MMIC工艺制作了具有片上RC并联稳定网络的InGaP/GaAs HBT微波功率管单胞.依据K稳定因子,RC网络使功率管在较宽的频带内具有绝对稳定特性.Load-pull测试表明RC网络没有严重影响功率管的大信号特性,在5.4GHz饱和输出功率为30dBm,在11GHz 1dB压缩点输出功率大于21.6dBm.功率合成电路验证了该功率管具有高稳定性,非常适合制作微波大功率HBT放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
2	吴德馨	中国科学院微电子研究所	58	345	11.0	14.0
3	李滨	中国科学院微电子研究所	32	532	13.0	23.0
4	葛霁	中国科学院微电子研究所	10	72	5.0	8.0
5	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0
6	王显泰	中国科学院微电子研究所	13	77	5.0	8.0
7	陈延湖	中国科学院微电子研究所	6	54	5.0	6.0