亚微米门阵列ASIC中地弹噪声降低技术

• 作者: 于宗光 张丹华 韩磊
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 门阵列 专用集成电路 地弹效应 降低
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 413-415
• 页数: 3页
• 分类号: TN44|TP331.2
• 字数: 2241字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.030

摘要

由封装电感引起的地弹效应对亚微米门阵列ASIC电路的影响,对门阵列母片的结构和应用情况进行了分析,在逻辑设计、库单元设计、库单元结构、门阵列结构等方面提出了多种改进方法来抑制地弹噪声,并将这些改时方法应用在乘法器电路的改版设计中,取得了非常好的效果

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	中国电子科技集团公司第五十八所	140	722	12.0	22.0
2	韩磊	中国电子科技集团公司第五十八所	1	0	0.0	0.0
3	张丹华	清华大学电子工程系	1	0	0.0	0.0