10Gb/s,0.2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计

• 作者: 朱恩 王志功 蔡水成 高建军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PHEMT 跨阻 噪声
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1808-1813
• 页数: 6页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 1903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.022

摘要

对基于0.2μm GaAs PHEMT工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3.3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57.8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0.5mm×0.4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	朱恩	东南大学射频与光电集成电路研究所	64	419	9.0	16.0
3	蔡水成	东南大学射频与光电集成电路研究所	2	9	2.0	2.0
4	高建军	东南大学射频与光电集成电路研究所	11	44	4.0	6.0