高性能1mm SiC基AlGaN/GaN功率HEMT研制

• 作者: 刘新宇 和致经 李成瞻 梁晓新 王晓亮 罗卫军 陈晓娟 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 微波功率 功率增益
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1981-1983
• 页数: 3页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 1357字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.018

摘要

在6H-SiC衬底上,外延生长了AlGaN/GaN HEMT结构,设计并实现了高性能1mm AlGaN/GaN微波功率HEMT,外延材料利用金属有机物化学气相淀积技术生长.测试表明,该lmm栅宽器件栅长为0.8μm,输出电流密度达到1.16A/mm,跨导为241mS/mm,击穿电压＞80V,特征频率达到20GHz,最大振荡频率为28GHz.5.4GHz连续波测试下功率增益为14.2dB,输出功率达4.1W,脉冲条件测试下功率增益为14.4dB,输出功率为5.2W,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	刘新宇	中国科学院微电子研究所	141	717	13.0	18.0
3	和致经	中国科学院微电子研究所	36	229	9.0	13.0
4	魏珂	中国科学院微电子研究所	24	134	5.0	10.0
5	陈晓娟	中国科学院微电子研究所	26	185	9.0	12.0
6	罗卫军	中国科学院半导体研究所	17	35	4.0	5.0
10	李成瞻	中国科学院微电子研究所	1	5	1.0	1.0
11	梁晓新	中国科学院微电子研究所	12	46	4.0	6.0