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摘要:
提出了一种新型的谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,该器件采用双腔混合式结构.理论分析表明这种新型谐振腔增强型光调制器在保留了谐振增强作用的同时,还结合了非对称结构和对称结构谐振腔增强型光调制器的性能优势,因而更易同时获得高消光比和低插入损耗.该新型器件在一定的调制电压下还可获得较大的反射率差.
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文献信息
篇名 一种同时具有高消光比和低插入损耗的新型谐振腔增强型光调制器的理论分析
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 谐振腔增强型光调制器 消光比 插入损耗
年,卷(期) 2006,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1305-1309
页数 5页 分类号 TN761
字数 3380字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.030
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 余重秀 北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室 167 966 15.0 21.0
2 周震 北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室 13 39 3.0 5.0
3 马健新 北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室 6 20 2.0 4.0
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谐振腔增强型光调制器
消光比
插入损耗
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半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
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