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一种同时具有高消光比和低插入损耗的新型谐振腔增强型光调制器的理论分析
一种同时具有高消光比和低插入损耗的新型谐振腔增强型光调制器的理论分析
作者:
余重秀
周震
马健新
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
谐振腔增强型光调制器
消光比
插入损耗
摘要:
提出了一种新型的谐振腔增强型(RCE)光调制器结构,该器件采用双腔混合式结构.理论分析表明这种新型谐振腔增强型光调制器在保留了谐振增强作用的同时,还结合了非对称结构和对称结构谐振腔增强型光调制器的性能优势,因而更易同时获得高消光比和低插入损耗.该新型器件在一定的调制电压下还可获得较大的反射率差.
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文献信息
篇名
一种同时具有高消光比和低插入损耗的新型谐振腔增强型光调制器的理论分析
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
谐振腔增强型光调制器
消光比
插入损耗
年,卷(期)
2006,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1305-1309
页数
5页
分类号
TN761
字数
3380字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.030
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
余重秀
北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室
167
966
15.0
21.0
2
周震
北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室
13
39
3.0
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3
马健新
北京邮电大学电子工程学院光通信与光波技术教育部重点实验室
6
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研究主题发展历程
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谐振腔增强型光调制器
消光比
插入损耗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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