MEMS器件气密性封装的低温共晶键合工艺研究

• 作者: 丁桂甫 姚锦元 姜政 张东梅 汪红
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 微机电系统 气密性封装 共晶键合 低温封装
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 前沿技术
• 页码范围: 82-84
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.99
• 字数: 2125字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2006.01.029

摘要

介绍了一种采用Pb-Sn共晶合金作为中间层的键合封装技术,通过电镀的方法在芯片与基片上形成Cr/Ni/Cu/Pb-Sn多金属层,在温度为190 ℃、压强为150 Pa的真空中进行键合,键合过程不需使用助焊剂,避免了助焊剂对微器件的污染.试验表明:这种键合工艺具有较好的气密性,键合区合金分布均匀、无缝隙、气泡等脱焊区,键合强度较高,能够满足电子元器件和微机电系统(MEMS)可动部件低温气密性封装的要求.