电子跳跃结构场发射阴极的电子通过率研究

• 作者: 张晓兵 蒋名律 雷威
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 二次电子 场发射 三极管
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 3256字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.01.018

摘要

针对一种基于二次电子发射的跳跃电子阴极三极管结构进行了研究,这种特殊结构可以有效地提高了电子注电流密度,并减小受残余气体离子的对阴极轰击造成的阴极发射跌落.对应用碳纳米管场发射的跳跃电子阴极的三极管结构的电子通过率的研究,提出了的栅网上蒸镀高二次电子发射系数的介质膜的方法,可以有效地解决栅网的截获问题,提高电子通过率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷威	东南大学电子工程系	89	538	12.0	18.0
2	张晓兵	东南大学电子工程系	87	746	13.0	24.0
3	蒋名律	东南大学电子工程系	1	0	0.0	0.0