SiGe HBT60Coγ射线辐照效应及退火特性

• 作者: 任迪远 刘刚 牛振红 郭旗 高嵩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe异质结双极晶体管 电离辐射 退火 后损伤效应
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1608-1611
• 页数: 4页
• 分类号: TN323+.4
• 字数: 2786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.019

摘要

研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Co γ射线100Gy(Si)～10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照后基极电流(Ib)明显增大,而集电极电流(Ic)基本不变,表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因.退火结果表现为电流增益(β=Ic/Ib)继续衰降,表明SiGe HBT具有"后损伤"效应.对其机理进行了探讨,结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭旗	中国科学院新疆理化技术研究所	50	338	10.0	16.0
2	刘刚	中国科学院新疆理化技术研究所	207	2369	24.0	40.0
6	牛振红	中国科学院新疆理化技术研究所	8	34	4.0	5.0
10	任迪远	中国科学院新疆理化技术研究所	59	375	11.0	16.0
11	高嵩	中国科学院新疆理化技术研究所	11	64	5.0	7.0