0.13μm CMOS上接地板宽度有限共面波导的特性与建模

• 作者: 王志功 陈勖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共面波导 CMOS 散射参数
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 982-987
• 页数: 6页
• 分类号: TN432
• 字数: 1131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.006

摘要

讨论了利用TSMC 0.13μm CMOS工艺实现的共面波导的特性及其建模.通过Momentum等电磁场仿真软件计算了传输线的基本参数,例如特征阻抗和衰减常数.并设计了特征阻抗分别为30,50,70和100Ω的共面波导传输线元件库.最后,在0.1～40GHz的范围内利用网络分析仪和SOLT(short-open-load-thru)测试技术测得特征阻抗和衰减常数,共面波导的分布参数则通过提取测试得到的S参数得到.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	陈勖	东南大学射频与光电集成电路研究所	4	22	3.0	4.0