具有高阻抗本征SnO2过渡层的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池

• 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 雷智 黎兵
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdTe电池 过渡层 效率
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4854-4859
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.09.077

摘要

采用超声喷雾热解法制备了具有高阻抗的本征SnO2透明导电膜,将其运用在CdS层减薄了的CdS/CdTe多晶薄膜太阳电池中,对减薄后的CdS薄膜进行了XRD,AFM图谱分析,并对电池进行了光、暗I-V,光谱响应和C-V测试.结果表明,在高阻膜上沉积的减薄CdS薄膜(111)取向更明显,但易形成微孔.引入高阻层后,能消除CdS微孔形成的微小漏电通道,有效保护p-n结,改善了电池的并联电阻、填充因子和短波响应,使载流子浓度增加,暗饱和电流密度减小,从而电池性能得到改善,电池转换效率增加了14.4%.