氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性

• 作者: 何建廷 刘亦安 吴玉新 孙莉莉 庄惠照 王福学 田德恒 艾玉杰 薛成山
• 来源期刊: 科学通报
• 学科: 化学
• 关键词: 磁控溅射 氮化镓纳米线 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（13）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 1500-1503
• 页数: 4页
• 分类号: O6
• 字数: 2426字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0023-074X.2006.13.002

摘要

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.