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摘要:
介绍了基于0.35μm工艺设计的单片CMOS图像传感器芯片.该芯片采用有源像素结构,像素单元填充因数可达到43%,高于通常APS结构像素单元30%的指标.此外还设计了一种数字动态双采样技术,相对于传统的双采样技术(固定模式噪声约为0.5%),数字动态双采样技术具有更简洁的电路结构和更好抑制FPN噪声的效果.传感器芯片通过MPW计划采用Chartered 0.35μm数模混合工艺实现.实验结果表明芯片工作良好,图像固定模式噪声约为0.17%.
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文献信息
篇名 一种具有高填充因数和动态数字双采样技术的CMOS图像传感器
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 有源像素 CMOS图像传感器 填充因数 动态数字双采样 固定模式噪声
年,卷(期) 2006,(2) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 313-317
页数 5页 分类号 TN4
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.022
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘宇 29 273 9.0 16.0
5 王国裕 8 74 3.0 8.0
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2008(1)
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研究主题发展历程
节点文献
有源像素
CMOS图像传感器
填充因数
动态数字双采样
固定模式噪声
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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