适于薄膜SOI RESURF器件击穿电压模拟的高阶紧致差分格式离散的ADI方法

• 作者: 于宗光 刘战 王国章 须自明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ADI 高阶紧致差分 SOI RESURF 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 354-357
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2261字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.02.030

摘要

采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算薄膜SOI RESURF结构击穿电压.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光		89	354	9.0	14.0
5	王国章		12	83	4.0	9.0
7	须自明	江南大学信息工程学院	12	113	4.0	10.0
8	刘战	江南大学信息工程学院	14	116	4.0	10.0