应变Si1-x Gex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型

• 作者: 张兰君 张雪锋 徐静平 邹晓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-MOSFET 应变 Si1-x Gex 空穴迁移率
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2000-2004
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3547字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.022

摘要

在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上,提出了一个半经验的应变Sil-xGex/Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型.在该模型中,给出了迁移率随应变的变化,并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用.利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	张兰君	华中科技大学电子科学与技术系	2	16	1.0	2.0
3	张雪锋	华中科技大学电子科学与技术系	9	69	3.0	8.0
4	邹晓	华中科技大学电子科学与技术系	12	62	5.0	7.0