聚对苯二酚修饰玻碳电极的制备及其对抗坏血酸的催化氧化作用

• 作者: 王壬 赵国芳 邹小勇 陈贤光
• 来源期刊: 分析化学
• 学科: 化学
• 关键词: 对苯二酚 化学修饰电极 抗坏血酸 电催化氧化
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 1063-1067
• 页数: 5页
• 分类号: O6
• 字数: 3975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3820.2006.08.003

摘要

采用循环伏安(CV)法制备了聚对苯二酚薄膜修饰玻碳电极,利用其电催化氧化作用建立了抗坏血酸的定量分析方法,探讨了其催化氧化机理.研究发现:在0.2 mol/L Na2HPO4-NaH2PO4(PBS,pH 7.0)缓冲溶液中,以0.1 mol/L KCl作支持电解质,聚对苯二酚修饰电极(PHQ/CME)对抗坏血酸(AA)存在灵敏的催化氧化作用,氧化峰电位负移177 mV.应用微分脉冲伏安法(DPV)对AA进行定量分析,其氧化峰电流与AA浓度在3.3×10-5～1.7×10-2 mol/L和1.7×10-2～1.2×10-1 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限为3.3×10-6 mol/L.机理研究结果表明:PHQ/CME上带有的酚羟基与脱氢抗坏血酸自由基之间形成的氢键是电催化氧化的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邹小勇	中山大学化学与化学工程学院	83	1011	19.0	28.0
2	陈贤光	中山大学化学与化学工程学院	5	95	5.0	5.0
3	王壬	中山大学化学与化学工程学院	4	30	3.0	4.0
4	赵国芳	中山大学化学与化学工程学院	1	21	1.0	1.0