SiC/nc-Si多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论

• 作者: 何振辉 梁志均 王志斌 王莉 赵福利 阳生红 陈弟虎
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 超晶格 紧束缚理论 SiC/nc-Si多层膜 光致发光
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 72-75
• 页数: 4页
• 分类号: O520
• 字数: 2967字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.017

摘要

用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱的关系,并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8,即碳化硅层的厚度是纳米硅层厚度的8倍时的超晶格结构蓝光发射的效率最高.在等离子体增强化学气相沉积系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积含氢非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备出了晶化纳米SiC/nc-Si(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜.利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性,表明制得的超晶格结构稍微偏离设计,它的结构为{Si}1{SiC}5.最后对晶化样品的光致发光谱进行研究,详细分析了各个光致发光峰的物理本质.