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摘要:
用Vogl提出的sp3s*紧束缚模型来研究碳化硅/纳米硅(SiC/nc-Si)多层薄膜的能带结构与其光致发光谱的关系,并设计出SiC/nc-Si多层薄膜最佳结构为{Si}1{SiC}8,即碳化硅层的厚度是纳米硅层厚度的8倍时的超晶格结构蓝光发射的效率最高.在等离子体增强化学气相沉积系统中,通过控制进入反应室的气体种类逐层沉积含氢非晶SiCx:H(a-SiCx:H)和非晶Si:H(a-Si:H)薄膜,然后经过高温热退火处理,成功制备出了晶化纳米SiC/nc-Si(多晶SiC和纳米Si)多层薄膜.利用截面透射电子显微镜技术分析了a-SiCx:H/nc-Si:H多层薄膜的结构特性,表明制得的超晶格结构稍微偏离设计,它的结构为{Si}1{SiC}5.最后对晶化样品的光致发光谱进行研究,详细分析了各个光致发光峰的物理本质.
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文献信息
篇名 SiC/nc-Si多层薄膜的光致可见发光谱的紧束缚理论
来源期刊 半导体学报 学科 物理学
关键词 超晶格 紧束缚理论 SiC/nc-Si多层膜 光致发光
年,卷(期) 2006,(z1) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 72-75
页数 4页 分类号 O520
字数 2967字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.017
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研究主题发展历程
节点文献
超晶格
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SiC/nc-Si多层膜
光致发光
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半导体学报(英文版)
月刊
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大16开
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