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高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
作者:
张杨
杜伟
杨富华
王春霞
许兴胜
陈弘达
韩伟华
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
光子晶体
电子束曝光
PMMA掩膜
摘要:
结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.
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二维光子晶体
时域有限差分方法
光子带隙
透射谱
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文献信息
篇名
高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
光子晶体
电子束曝光
PMMA掩膜
年,卷(期)
2006,(9)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1640-1644
页数
5页
分类号
TN305.7
字数
3057字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.026
五维指标
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
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学科类型:
数理科学
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