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摘要:
结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这些参数,我们得到了高质量的掩膜图形.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 高质量二维光子晶体结构刻蚀掩膜版的制作方法
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 光子晶体 电子束曝光 PMMA掩膜
年,卷(期) 2006,(9) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1640-1644
页数 5页 分类号 TN305.7
字数 3057字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.026
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研究主题发展历程
节点文献
光子晶体
电子束曝光
PMMA掩膜
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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