温度补偿的30nA CMOS电流源及在LDO中的应用

• 作者: 严晓浪 何乐年 王忆
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 30nA 静态电流 寄生二极管 LDO
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1657-1662
• 页数: 6页
• 分类号: TN401
• 字数: 3844字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.029

摘要

设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行了温度补偿,在-40～130℃范围内的30nA的基准电流精度从±1.5nA提高到±0.9nA.用这种参考电流源设计的LDO的静态电流在-40～130℃范围时减小到4μA.用Cadence公司的Spectre软件以及CSMC的0.5μm CMOS混合信号模型对电路进行了仿真与芯片设计.芯片测试结果验证了以上设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严晓浪	浙江大学超大规模集成电路研究所	246	1634	19.0	29.0
2	何乐年	浙江大学超大规模集成电路研究所	88	869	16.0	26.0
3	王忆	浙江大学超大规模集成电路研究所	8	82	4.0	8.0