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摘要:
通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.
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文献信息
篇名 数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 垂直腔面发射激光器 DBR 反射谱 反射相移 特征矩阵法
年,卷(期) 2006,(11) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 2011-2014
页数 4页 分类号 TN248
字数 2383字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 谭满清 中国科学院半导体研究所 24 136 8.0 10.0
2 王青 中国科学院半导体研究所 83 1420 20.0 35.0
3 曹玉莲 中国科学院半导体研究所 15 78 5.0 8.0
4 吴旭明 中国科学院半导体研究所 9 50 3.0 6.0
5 王小东 中国科学院半导体研究所 8 38 4.0 6.0
6 何国荣 中国科学院半导体研究所 10 50 3.0 6.0
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研究主题发展历程
节点文献
垂直腔面发射激光器
DBR
反射谱
反射相移
特征矩阵法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家高技术研究发展计划(863计划)
英文译名:The National High Technology Research and Development Program of China
官方网址:http://www.863.org.cn
项目类型:重点项目
学科类型:信息技术
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