大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应

• 作者: 何宝平 周荷琴 周辉 姚志斌 张凤祁 罗尹虹 郭红霞
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 大规模集成电路 总剂量效应 低剂量率 失效时间
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 121-125
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3288字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.025

摘要

提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法:在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Co γ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,研究了功耗电流和出错数量在不同γ射线剂量率辐照下的总剂量效应,以及参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系,并利用外推实验技术预估了电路在空间低剂量率环境下的失效时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周荷琴		104	1440	17.0	34.0
2	周辉		84	938	16.0	26.0
3	何宝平		46	291	9.0	13.0
5	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
6	张凤祁		40	169	8.0	10.0
7	郭红霞		81	385	10.0	13.0
8	姚志斌		35	171	8.0	10.0