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摘要:
为了减小高精度Pipeline/ADC中基准源的温漂特性,从而保证系统的整体性能,通过对传统一阶温度补偿电路进行改进,采用二阶温度系数补偿,获得了低于5×10-6/℃温度系数的基准电压源.整个电路采用成熟先进的Cht0.35μmCMOS工艺,使用Hspice进行仿真.仿真结果证明此基准电压源的温度系数极低,平均温度系数低于5×10-6/℃.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 低压下5×10-6/℃的带隙基准电压源设计
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 带隙基准源 CMOS 温度补偿 10-6/℃
年,卷(期) 2006,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 766-769
页数 4页 分类号 TN4
字数 1774字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.03.040
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾新章 西安电子科技大学微电子学院 63 572 14.0 20.0
2 肖本 西安电子科技大学微电子学院 3 5 2.0 2.0
3 胡学忠 西安电子科技大学微电子学院 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
CMOS
温度补偿
10-6/℃
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
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21
总被引数(次)
27643
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