新型槽栅MOSFETs的特性

• 作者: 于磊 曹艳荣 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准 槽栅器件 短沟道效应 热载流子效应 拐角效应
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1994-1999
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4251字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.021

摘要

采用SIVALCO软件对槽栅与平面器件进行了仿真对比分析,结果表明槽栅器件能够有效地抑制短沟道及热载流子效应,而拐角效应是槽栅器件优于平面器件特性更加稳定的原因.对自对准工艺下成功投片所得沟道长度为140nm的槽栅器件进行测量,结果有力地证明了槽栅器件较平面器件的优越性.