高k栅介质纳米MOSFET栅电流模型

• 作者: 孙建平 王伟 顾宁
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高k 栅电流 量子模型
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1170-1176
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 1164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.004

摘要

介绍了一种纳米MOSFET(场效应管)栅电流的统一模型,该模型基于Schrodinger-Poisson方程自洽全量子数值解,特别适用于高k栅介质和多层高k栅介质纳米MOSFET.运用该方法计算了各种结构和材料高k介质的MOSFET栅极电流,并对pMOSFET和nMOSFET高k栅结构进行了分析比较.模拟得出栅极电流与实验结果符合,而得出的优化氮含量有待实验证实.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾宁	东南大学生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件重点实验室	182	1683	20.0	32.0
2	王伟	东南大学生物电子学国家重点实验室江苏省生物材料与器件重点实验室	129	949	16.0	25.0
3	孙建平	美国密西根大学电气工程和计算机科学系	5	22	3.0	4.0