键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器

• 作者: 于丽娟 杜云 赵洪泉 黄永箴
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 直接键合 长波长激光器 硅基
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 741-743
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1481字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.031

摘要

在硅基上成功地制备出了1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器.设计并生长了适合于键合的量子阱激光器结构材料,通过直接键合技术,将Si衬底与InP-InGaAsP外延片键合到一起.剥离去掉InP衬底后,在5～6μm的薄膜上制备出20μm条形边发射激光器.室温下,阈值电流160mA(电流密度为2.7kA/cm2),功率可达10mW以上(在约350mA电流下),实现了1.55μm长波长边发射激光器与Si的集成.目前,该结果国际上还未见报道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄永箴	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	47	229	9.0	12.0
2	于丽娟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	16	56	5.0	6.0
3	杜云	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	21	67	5.0	7.0
4	赵洪泉	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	11	2.0	2.0