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摘要:
半导体材料的折射率是光频率的函数,所以在计算光子晶体的能带结构时必须考虑到色散关系.光子晶体存在光子禁带在反射谱上表现为高反射率带.本文已GaAs基材料为例,利用传输矩阵方法计算了考虑色散后的一维光子晶体的反射谱,计算结果表明考虑色散后的光子晶体禁带的宽度较不考虑色散关系的光子晶体的带隙要窄,如果光子晶体中存在缺陷则考虑色散后的光子晶体缺陷态的位置较不考虑色散关系时红移,且光子损耗较小.
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文献信息
篇名 精确的一维光子晶体的带隙
来源期刊 光电工程 学科 工学
关键词 光子晶体 禁带 色散关系
年,卷(期) 2006,(7) 所属期刊栏目 光网络
研究方向 页码范围 127-130
页数 4页 分类号 TN36
字数 1664字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-501X.2006.07.028
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张常年 北方工业大学信息学院 47 351 10.0 17.0
2 刘文楷 北方工业大学信息学院 32 108 6.0 9.0
3 张存善 河北工业大学信息学院 34 249 7.0 14.0
4 安艳伟 北方工业大学信息学院 16 39 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
光子晶体
禁带
色散关系
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电工程
月刊
1003-501X
51-1346/O4
大16开
四川省成都市双流350信箱
1974
chi
出版文献量(篇)
4776
总下载数(次)
5
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