精确的一维光子晶体的带隙

• 作者: 刘文楷 安艳伟 张存善 张常年
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 禁带 色散关系
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 光网络
• 页码范围: 127-130
• 页数: 4页
• 分类号: TN36
• 字数: 1664字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2006.07.028

摘要

半导体材料的折射率是光频率的函数,所以在计算光子晶体的能带结构时必须考虑到色散关系.光子晶体存在光子禁带在反射谱上表现为高反射率带.本文已GaAs基材料为例,利用传输矩阵方法计算了考虑色散后的一维光子晶体的反射谱,计算结果表明考虑色散后的光子晶体禁带的宽度较不考虑色散关系的光子晶体的带隙要窄,如果光子晶体中存在缺陷则考虑色散后的光子晶体缺陷态的位置较不考虑色散关系时红移,且光子损耗较小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张常年	北方工业大学信息学院	47	351	10.0	17.0
2	刘文楷	北方工业大学信息学院	32	108	6.0	9.0
3	张存善	河北工业大学信息学院	34	249	7.0	14.0
4	安艳伟	北方工业大学信息学院	16	39	3.0	5.0