Sb掺杂SrTiO3电子结构的第一性原理计算

• 作者: 张富春 张志勇 贠江妮 邓周虎
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理计算 SrTiO3 Sb掺杂 电子结构 透明导电薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1537-1542
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 432字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.09.004

摘要

计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3(x=0,0.125,0.25,0.33)体系电子结构,分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响.所有计算都是基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:体系的导电性与掺杂浓度有关,Sb掺杂在母体化合物SrTiO3中引入了大量的传导电子,费米能级进入导带.当Sb掺杂浓度x=0.125时,体系显示金属型导电性.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张富春	西北大学信息科学与技术学院	94	391	10.0	17.0
3	张志勇	西北大学信息科学与技术学院	98	759	13.0	22.0
4	贠江妮	西北大学信息科学与技术学院	11	54	5.0	7.0
5	邓周虎	西北大学信息科学与技术学院	39	330	9.0	16.0