一种8 Bit 10 GHz SiGe BiCMOS比较器

• 作者: 朱樟明 杨银堂 潘杰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe BiCMOS 异质结晶体管 全差分 超高速 比较器
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 页码范围: 339-343
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 3157字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.02.011

摘要

SiGe BiCMOS提供了性能极其优异的HBT(异质结晶体管),其ft超过70 GHz,β>120,高线性,低噪声,非常适合高频领域应用.本文基于SiGe BiCMOS工艺,提出了一种高性能全差分超高速比较器,它由宽带宽前置放大器、改进的主从式锁存器组成.采用3.3 V单电压源,比较时钟超过10 GHz,差模信号电压输入量程为0.8 V,输出差模电压为0.4 V,输入失调电压约2.5 mV,用于8位两步闪烁式A/D转换器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂		32	202	6.0	13.0
2	朱樟明		9	95	4.0	9.0
3	潘杰		2	4	1.0	2.0