退火温度对嵌入Si中的β-FeSi2颗粒发光的影响

• 作者: 李成 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: β-FeSi2 光致发光 退火
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 82-85
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 1905字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.017

摘要

研究了退火温度对分子束外延(MBE)方法生长的Si基β-FeSi2颗粒的发光性质和电学特性的影响.结果表明,在900℃下退火的样品,虽然β-FeSi2的结晶质量有所提高,但是由于晶格失配和热膨胀系数的不同,在Si中引入位错,导致样品的光致发光谱展宽和形成的二极管漏电流增大.而在800℃下退火的样品,具有较低的漏电流和较强的室温电致发光谱.