高速抗噪声CMOS动态电路设计

• 作者: 林殷茵 汤庭鳌 赖练章
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多米诺电路 抗噪声能力 高速 电荷保持器 窄脉冲
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1006-1011
• 页数: 6页
• 分类号: TN431.2
• 字数: 868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.06.010

摘要

提出了一种利用窄脉冲发生器驱动输出级,以提高电路抗噪声能力,同时保持动态电路的高速特性的多输入动态逻辑电路.提出了这种电路的分析模型,用于说明电路的抗噪声特性和管子的参数设置.在0.18μm CMOS工艺,1.8V的Vdd电压和55℃的环境温度下,模拟结果表明:与现有的两种技术相比,在相同的最坏延时情况下,新结构具有更好的抗噪声能力,分别提升了12%和8%;而在具有相同的抗噪声能力的情况下,新结构具有更快的速度,分别提高了1.6倍和1.4倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林殷茵	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	40	129	7.0	10.0
2	汤庭鳌	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	28	186	7.0	13.0
3	赖练章	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	4	1.0	1.0