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摘要:
研制了一种基于ITO/PEDOT/P-PPV/MEH-PPV/PFO/Ba/Al的多层结构器件,实现MEH-PPV发光峰的窄化和红移.该器件使MEH-PPV发射峰的半高宽(FWHM)由纯MEH-PPV单层的91 nm减小到32 nm,发光峰相对于MEH-PPV单层的582 nm红移了20 nm,相应的色坐标(CIE1931)由单层的(0.56,0.33)变为(0.62,0.38).这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应.
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文献信息
篇名 MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化
来源期刊 光电子·激光 学科 工学
关键词 电致发光(EL) 聚合物多层 半高宽(FWHM) 红移
年,卷(期) 2006,(8) 所属期刊栏目 光电子器件和系统
研究方向 页码范围 922-925
页数 4页 分类号 TN383+.1
字数 1581字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.08.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 范广涵 华南师范大学光电子材料与技术研究所 147 1064 16.0 26.0
2 章勇 华南师范大学光电子材料与技术研究所 37 273 8.0 16.0
传播情况
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  • 二级引证文献(1)
研究主题发展历程
节点文献
电致发光(EL)
聚合物多层
半高宽(FWHM)
红移
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子·激光
月刊
1005-0086
12-1182/O4
大16开
天津市南开区红旗南路263号
6-123
1990
chi
出版文献量(篇)
7085
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11
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