MEH-PPV多层结构器件的制备及其谱红移和窄化

• 作者: 章勇 范广涵
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: 电致发光(EL) 聚合物多层 半高宽(FWHM) 红移
• 年，卷（期）: 2006,（8）
• 所属期刊栏目: 光电子器件和系统
• 页码范围: 922-925
• 页数: 4页
• 分类号: TN383+.1
• 字数: 1581字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1005-0086.2006.08.005

摘要

研制了一种基于ITO/PEDOT/P-PPV/MEH-PPV/PFO/Ba/Al的多层结构器件,实现MEH-PPV发光峰的窄化和红移.该器件使MEH-PPV发射峰的半高宽(FWHM)由纯MEH-PPV单层的91 nm减小到32 nm,发光峰相对于MEH-PPV单层的582 nm红移了20 nm,相应的色坐标(CIE1931)由单层的(0.56,0.33)变为(0.62,0.38).这种窄化和红移归为聚合物多层界面间的共混稀释效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	章勇	华南师范大学光电子材料与技术研究所	37	273	8.0	16.0