ZnO薄膜和量子阱的生长及光学特性

• 作者: 余金中 康俊勇 张保平 濑川勇三郎 王启明
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌 薄膜 量子阱 MOCVD 生长温度 掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 613-622
• 页数: 10页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.007

摘要

研究了用MOCVD法在蓝宝石(Al2O3)(0001)和(1120)衬底上制备ZnO薄膜时的生长特性.详细研究了采用Al2O3(0001)衬底时生长温度与压力的影响.由于存在比较大的晶格失配,一般容易得到ZnO纳米结晶,不容易获得既平坦且质量又好的ZnO薄膜.生长温度对薄膜-衬底界面的生长模式有很大的影响;而生长压力对ZnO纳米结晶的形状有决定性作用.通过适当控制生长温度及压力,可以得到ZnO薄膜或不同形状的纳米结构.当采用Al2O3(1120)衬底时,由于晶格失配较小,能保持平坦层状生长,临界膜厚远远大于采用Al2O3(0001)衬底的结果.在Al2O3(1120)衬底上制作了ZnO/MgZnO量子阱并研究了其光学特性.观察到了量子化能级间以及在载流子间的跃迁引起的发光.由压电效应引起的内建电场约为3×105V/cm.同时发现采用低温低压生长可以增大ZnO中受主杂质浓度,有利于获得p型ZnO.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	厦门大学物理系	118	735	14.0	20.0
3	余金中	厦门大学物理系	110	703	13.0	21.0
5	康俊勇	厦门大学物理系	29	84	5.0	8.0