适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型

• 作者: 刘红侠 张金凤 方建平 朱志炜 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 静电放电 速度过冲 能量弛豫时间
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 流体、等离子体和放电
• 页码范围: 5878-5884
• 页数: 7页
• 分类号: O53
• 字数: 6573字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.050

摘要

分析了深亚微米NMOSFET在ESD应力下的非本地传输特性,分析说明了速度过冲效应可以增大漏端电流,改变器件特性.NMOSFET能量弛豫时间与器件中该点的电场、载流子速度和载流子能量密切相关,从而不能再近似为一个常数.利用蒙特卡罗仿真方法得到电子能量弛豫时间和电子高场迁移率与电子能量的关系表达式,并使用上述模型进行了ESD器件仿真,与实验结果的对比显示,使用该能量弛豫时间模型和高场迁移率模型可以得到准确的器件I-V曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
3	张金凤	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	16	87	7.0	8.0
4	方建平	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	13	118	6.0	10.0
5	朱志炜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	19	96	5.0	8.0