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摘要:
在分析门极可关断晶闸管(GTO)和门极换流晶闸管(GCT)门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方法设计的门-阴极图形,在保证开关过程中电流均匀分布的前提下,可增加GCT的有效阴极面积,减小热阻,并提高电流容量.
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文献信息
篇名 一种新的GCT门-阴极图形的设计方法
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 电力半导体器件 门极换流晶闸管 门极可关断晶闸管 门-阴极结构
年,卷(期) 2006,(7) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 1300-1304
页数 5页 分类号 TN34
字数 3944字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.029
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高勇 西安理工大学电子工程系 189 1184 15.0 26.0
2 王彩琳 西安理工大学电子工程系 43 203 8.0 12.0
传播情况
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2006(0)
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研究主题发展历程
节点文献
电力半导体器件
门极换流晶闸管
门极可关断晶闸管
门-阴极结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
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35317
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