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一种新的GCT门-阴极图形的设计方法
一种新的GCT门-阴极图形的设计方法
作者:
王彩琳
高勇
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电力半导体器件
门极换流晶闸管
门极可关断晶闸管
门-阴极结构
摘要:
在分析门极可关断晶闸管(GTO)和门极换流晶闸管(GCT)门-阴极结构的基础上,依据GCT关断时的换流机理,提出了一种新的GCT门-阴极图形的设计方法.与现有的GCT门-阴极图形相比,用该方法设计的门-阴极图形,在保证开关过程中电流均匀分布的前提下,可增加GCT的有效阴极面积,减小热阻,并提高电流容量.
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内容分析
关键词云
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相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
一种新的GCT门-阴极图形的设计方法
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
电力半导体器件
门极换流晶闸管
门极可关断晶闸管
门-阴极结构
年,卷(期)
2006,(7)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1300-1304
页数
5页
分类号
TN34
字数
3944字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.029
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
高勇
西安理工大学电子工程系
189
1184
15.0
26.0
2
王彩琳
西安理工大学电子工程系
43
203
8.0
12.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(0)
共引文献
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(0)
节点文献
引证文献
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同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
2006(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
电力半导体器件
门极换流晶闸管
门极可关断晶闸管
门-阴极结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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