功率MOSFET参数测试仪的设计

• 作者: 吴忠 夏兴隆 张雄
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率 MOSFET 测试仪
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 页码范围: 1058-1060
• 页数: 3页
• 分类号: TN432|TM933
• 字数: 1725字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2006.04.019

摘要

功率MOSFET参数测试仪是用来测试功率MOSFET电特性参数的仪器设备(如阈值电压、跨导等).以单片机为核心,介绍功率MOSFET参数测试仪的原理、设计及实现,设计了电特性参数测试的具体电路,编写了测试控制程序,通过对设计出的测试仪系统进行实验和调试,可以准确测量功率MOSFET的阈值电压、跨导、栅源漏电流、零栅压漏极电流及耐压.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雄	东南大学电子工程系	54	275	9.0	13.0
2	吴忠	东南大学电子工程系	9	46	4.0	6.0
3	夏兴隆	东南大学电子工程系	2	4	1.0	2.0