金属Ni诱导横向晶化Ge纳米点/Si多层异质薄膜的特性

• 作者: 张匡吉 张荣 施毅 濮林 郑有炓 鄢波 韩平
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge/Si量子点多层结构 低压化学气相沉积 金属诱导横向结晶
• 年，卷（期）: 2006,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 712-716
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3441字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.04.025

摘要

研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生长了高密度Ge/a-Si量子点多层结构,然后在较低温度下(低于550℃),利用金属Ni诱导多层结构中的a-Si层横向结晶制备出高质量的Ge/Si量子点超晶格结构.通过光学显微镜、电子显微镜和显微喇曼光谱等手段测量研究表明,与单一a-Si系统的金属Ni诱导相似,该多层结构中的各α-Si层退火后也具有(110)择优取向,同时晶粒的直径较大,约在4～5μm左右.Ge点中的应力状态的变化揭示出诱导结晶后形成高质量的晶态Si与Ge纳米点界面.