超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质

• 作者: 段小蓉 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超薄SiO2 软击穿 I-V饱和特性
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 193-196
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1828字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.049

摘要

利用电子速度饱和概念和比例差值方法(proportional difference operator,PDO)研究了超薄SiO2在第一次软击穿以后栅电流随着栅电压的变化所呈现的饱和性质.实验证明了第一次软击穿以后栅电流随着栅电压变化的PDO谱峰位、峰高与电子在第一次软击穿通道中运动的饱和速度及饱和电流密度相关.基于缺陷散射机制,得到的第一次软击穿通道的横截面积与文献报导的结果一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子研究院	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子研究院	52	102	5.0	7.0
3	段小蓉	北京大学微电子研究院	9	26	3.0	5.0