电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构的极性

• 作者: 刘玉资 张泽 戴涛
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子全息 生长极性 极化
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 唯象论的经典领域
• 页码范围: 5829-5834
• 页数: 6页
• 分类号: O37
• 字数: 4121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.11.042

摘要

介绍一种通过用电子全息方法测定GaN/AlGaN多量子阱结构生长极性的方法.该方法可以分别测量多量子阱结构中各层内建电场方向.由于多量子阱结构中的内建电场是由各层膜中的极化共同作用产生的,电场的方向和生长极性有确定的对应关系,所以通过测定内建电场的方向就可以确定结构的生长极性.还用会聚束电子衍射方法对电子全息方法的测定结果进行了验证.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张泽		44	272	8.0	15.0
2	刘玉资	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室	3	3	1.0	1.0
3	戴涛	北京凝聚态物理国家实验室中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室	1	0	0.0	0.0