部分局域电荷槽SOI高压器件新结构

• 作者: 唐新伟 张波 李肇基 罗小蓉
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷槽 界面电荷 自热效应 纵向电场 击穿电压
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 115-120
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 字数: 2638字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.01.024

摘要

提出了部分局域电荷槽SOI(partial locating charge trench SOI,PTSOI)高压器件新结构.该结构在槽内产生随漏极电压变化的界面电荷,此电荷使埋氧层纵向电场从传统的3Esi,C升高到接近SiO2的临界击穿电场Esio2,c;另外,硅窗口将耗尽层引入衬底,因而提高了器件的击穿电压.同时,硅窗口的存在大大缓解了自热效应.借助二维器件仿真研究了器件的击穿特性和热特性.结果表明,漂移区厚2μm,埋氧层厚1μm的PTSOI耐压可达700V以上;对埋氧层厚1μm和3μm的PTSOI,其器件的最高温度分别比TSOI低6K和25K.