全电子束光刻制造二维光子晶体波导器件解决方案

• 作者: 余和军 余金中 陈绍武
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 电子束光刻 写场拼接 邻近效应校正
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1894-1899
• 页数: 6页
• 分类号: TN256
• 字数: 2465字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.11.002

摘要

以光子晶体Fabry-Perot腔为例,提出了全电子束光刻制作光子晶体波导器件的解决方案.曝光光子晶体区域时采用较小的曝光步长,同时引入额外的邻近效应补偿本征邻近效应,从而获得高质量的掩模图形.曝光较长的输入、输出波导时,采用较大的曝光步长以提高电子束扫描速度,同时在波导的写场(write-field)过渡区引入一个锥形波导以减小写场拼接误差对光传输效率的影响.实验结果证明,这种方法既能保持小孔制作需要的高精度,也能很大程度上提高光刻效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
2	余和军	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
3	陈绍武	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	1	1	1.0	1.0