EEPROM单元的电荷保持特性

• 作者: 刘红侠 成伟 郝跃 马晓华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电可擦除可编程只读存储器 电荷保持 阈值电压 Fowler-Nordheim隧穿效应
• 年，卷（期）: 2006,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1290-1293
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 2454字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.07.027

摘要

利用理论推导和实验方法对电可擦除可编程只读存储器EEPROM单元在给定电压下的电荷保持特性进行了分析和研究,得出了EEPROM单元电荷保持能力的理论公式,得到了单元保持状态下的电特性曲线,发现在双对数坐标下,阈值电压的退化率与时间成线性关系.在假定电荷流失机制为Fowler-Nordheim隧穿效应的情况下,推出了EEPROM单元在给定外加电压下的电荷保持时间,并通过实验得出了简化的EEPROM单元寿命公式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
2	马晓华	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	40	140	7.0	8.0
3	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
4	成伟	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	8	1.0	1.0