Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析

• 作者: 丁志博 姚淑德 王坤 程凯
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 高分辨X射线衍射 卢瑟福背散射/沟道 弹性应变
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2977-2981
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4583字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2006.06.054

摘要

利用卢瑟福背散射/沟道技术和高分辨率X射线衍射技术对在Si(111)衬底上利用金属有机化合物气相外延技术(MOVPE)生长有多缓冲层的六方GaN外延膜进行结晶品质计算、晶格常数计算和应变分析.实验结果表明:GaN外延膜的结晶品质为xmin=1.54%,已达到完美晶体的结晶品质(xmin=1%-2%);GaN外延膜的水平方向和垂直方向晶格常数分别为:aepi=0.31903nm,cepi=0.51837nm,基本达到GaN单晶的理论晶格常数(a0=0.3189nm,c0=0.5186nm);通过计算GaN外延膜及各缓冲层的水平应变、垂直应变和四方畸变沿深度的变化,可得出弹性应变由衬底及各缓冲层向表面逐渐释放,并由拉应变转为压应变,最后在GaN外延层应变基本达到完全释放(eT=0).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁志博	北京大学物理学院	7	63	4.0	7.0
2	姚淑德	北京大学物理学院	22	100	5.0	9.0
3	王坤	北京大学物理学院	23	206	7.0	14.0