低阻P型衬底上高阻厚层n型外延

• 作者: 唐有青 张文清 谭卫东 马利行 骆红 高涛
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 外延 高阻厚层 自掺杂
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 183-185
• 页数: 3页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.046

摘要

介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电阻率大于40Ω·cm,厚度大于100μm.研究表明:该外延材料完全可以满足IGBT器件制作的需要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭卫东		5	18	3.0	4.0
2	骆红		4	16	3.0	4.0
3	马利行		4	17	3.0	4.0
4	张文清		3	14	2.0	3.0
5	唐有青		2	7	2.0	2.0
6	高涛		1	5	1.0	1.0