光电基础材料缺陷的研究

• 来源期刊: 广播电视信息
• 学科: 工学
• 关键词: 光电基础材料(水平砷化镓) 缺陷(位错密度) 熔区 温度梯度
• 年，卷（期）: 2006,（11）
• 页码范围: 76-77
• 页数: 2页
• 分类号: TN204
• 语种: 中文

摘要

该文讨论了如何在光电基础材料(水平砷化镓单晶)生长过程中进行缺陷(位错密度)控制,通过控制熔区的长度,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖.采取以上措施可以在一定程度上降低位错密度.