β-Ga2O3单晶浮区法生长及其光学性质

• 作者: 史宏生 吴锋 夏长泰 张俊刚 徐军 徐悟生 裴广庆 邓群
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 浮区法 宽禁带半导体 β-Ga2O3单晶
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 358-360,363
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 3460字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2006.03.005

摘要

用浮区法生长得到了宽禁带半导体材料β-Ga2O3单晶,对其吸收光谱、荧光光谱进行了分析.解释了禁带部分展宽的原因.并研究了Sn4+和Ti4+的掺杂对其紫外吸收边影响.β-Ga2O3单晶的荧光谱不仅观察到了3个特征峰:紫外光(395nm)、蓝光(471nm)、绿光(559nm),还观察到了在277和297nm的紫外光和692nm的红光荧光发射.