不同氧分压下电子束蒸发氧化锆薄膜的特性

• 作者: 占美琼 张东平 范正修 邵建达 邵淑英 黄建兵
• 来源期刊: 光电工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锆薄膜 氧分压 表面迁移率 薄膜特性
• 年，卷（期）: 2006,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜光学
• 页码范围: 37-40,52
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 1682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-501X.2006.06.009

摘要

在不同的氧分压下用电子束热蒸发的方法制备了氧化锆薄膜.用扫描探针显微镜、X射线衍射仪和分光光度计分别对薄膜的表面粗糙度、微结构和透射谱等特性进行了表征.实验发现,薄膜沉积中氧分压与薄膜性质及微结构有密切的关系.当氧分压由3.0×10-3Pa升高到11×10-3Pa,薄膜的表面粗糙度由3.012nm降低到1.562nm,而薄膜的折射率由2.06降低到2.01.此外,X射线的衍射还发现,薄膜是以四方相为主多相共存的,随着氧分压的增加,特征衍射峰强度逐渐减弱,最后完全变成非晶.