Ge2Sb2Te5的电化学特性及化学机械抛光

• 作者: 刘奇斌 宋志棠 封松林 张楷亮 王良咏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Ge2Sb2Te5 相变存储器 化学机械抛光 电化学
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2495字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.040

摘要

从电化学角度研究了Ge2Sb2Te5薄膜在化学机械抛光液中的作用,以及不同的pH值和H2O2浓度下的电化学特性.采用Solartron SI1287电化学设备测试了Ge2Sb2Te5薄膜在溶液中的开路电位和动电位扫描.开路电位结果表明:Ge2Sb2Te5在pH值为10的抛光液中表现出钝化行为;而抛光液的pH值为11时,开始向活化转变;当pH值为12时,薄膜处于活化状态.在动电位扫描过程中,不同的pH值和H2O2浓度下,薄膜的扫描曲线形状相似,表明薄膜腐蚀具有相同的反应机理.自制碱性抛光液,对Ge2Sb2Te5薄膜进行化学机械抛光,用SEM和EDS对抛光后的结构进行分析.结果表明,通过CMP实现了Ge2Sb2Te5填充结构.