合金温度对薄基区InGaP/GaAs残余电压和欧姆接触的影响

• 作者: 刘训春 朱旻 杨威 王润梅 申华军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结双极型晶体管 U形发射极 合金 残余电压
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 765-768
• 页数: 4页
• 分类号: TN385
• 字数: 1937字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.05.001

摘要

研究了薄基区HBT合金温度对残余电压Voffset和欧姆接触电阻Rcontact的影响,给出了薄基区HBT的最佳合金温度区域.用肖特基钳位理论解释了合金温度过高导致Voffset偏大的现象.从晶体管基本物理机制推导出Voffset与集电极、发射极面积比Ac/Ae的关系,并用此解释了U形发射极HBT具有较小Ac/Ae的原因,进一步证明了U型发射极结构的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨威	中国科学院微电子研究所	60	460	11.0	19.0
2	朱旻	中国科学院微电子研究所	18	38	4.0	4.0
3	刘训春	中国科学院微电子研究所	43	222	9.0	11.0
4	王润梅	中国科学院微电子研究所	15	78	6.0	8.0
5	申华军	中国科学院微电子研究所	14	68	5.0	8.0