一种新型半绝缘键合SOI结构

• 作者: 何开全 冯建 刘勇 刘玉奎 张正璠 徐世六 李肇基 杨谟华 谭开洲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅片键合 半绝缘SOI 多晶过渡层
• 年，卷（期）: 2006,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1828-1831
• 页数: 4页
• 分类号: TN303
• 字数: 2854字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.10.026

摘要

报道了一种新型半绝缘键合SOI结构,采用化学气相淀积加外延生长键合过渡多晶硅层的方法实现了该结构.研制出的这种新结构,完整率大于85%,Si-Si键合界面接触比电阻小于5×10-4Ω·cm2.这种新结构可以广泛用于高低压功率集成电路、高可靠集成电路、MEMS、硅基光电集成等新器件和电路中.