1.3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长

• 作者: 倪海桥 吴东海 吴荣汉 孙征 张石勇 彭红玲 方志丹 牛智川 赵欢 韩勤 龚政
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 砷化铟 激光器
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 482-488
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.03.019

摘要

报道了分子束外延生长的1.3μm多层InGaAs/InAs/GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器.室温带边发射峰的半高宽小于35meV,表明量子点大小比较均匀.原子力显微镜图像显示,量子点密度可以控制在(1～7)×1010cm-2范围之内,而面密度处于4×1010cm-2时有良好的光致发光谱性能.含有三到五层1. 3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射.