IRG系列IGBT管主要参数(1)

• 作者: 余俊芳
• 来源期刊: 无线电
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT管 G系列 功率场效应管 大功率三极管 双极晶体管 IR 功率放大电路 控制电压 导通时间 封装形式
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 页码范围: 27
• 页数: 1页
• 分类号: TN386|TG434.1
• 语种: 中文

摘要

1.IGBT三极管问世仅20余年,它是功率场效应管与普通双极型(PNP或NPN)管复合后的一种新型半导体器件,即绝缘栅、双极晶体管,简称IGBT管,它综合了场效应管开关速度快、控制电压低和双极晶体管电流大、反压高、导通时压降小的优点.目前,最高工作频率(fT)已超过150kHz、最高反压(BVcbo)≥1700V、最大电流(ICM)≥800A、最大功率(PCM)达3000W、导通时间(ton)〈50ns.故广泛应用于微波炉、电磁厨具(如电磁炉、电磁灶)、煮饭厨具、电压谐振变换及大功率放大电路.他们的封装与普通大功率三极管相同,随功率大小有各种封装形式.